使用掃描電鏡（SEM）觀察樣品在某些情況下確實可能造成樣品損傷。這種損傷取決于樣品的材質、電導率、結構穩(wěn)定性、電子束參數等。以下是常見的損傷機制和原因：

一、常見損傷類型：

電子束燒蝕（Beam Damage）

高能電子束可引起樣品局部升溫，導致材料分解、熔化或蒸發(fā)；

薄膜、聚合物、生物樣品等尤其容易被燒蝕。

電荷積聚引發(fā)的損傷（Charging Effects）

非導電樣品容易積聚電荷，造成局部電場破壞樣品表面結構；

會產生圖像漂移、畸變，嚴重時導致表面起泡或開裂。

結構擾動或物理破壞

多孔、微納結構的樣品，如粉末、微粒、柔性材料，在真空或束流轟擊下可能坍塌、移位。

化學變化或污染

高能電子與樣品表面反應可能引發(fā)化學鍵斷裂；

環(huán)境氣體或殘余油污染物在電子束照射下聚集、沉積，改變表面成分。

二、避免損傷的方法：

降低加速電壓：常用 1–5 kV 觀察敏感樣品；

減小束流電流或縮短曝光時間；

使用金屬鍍膜：為非導體樣品表面噴金或碳，提高導電性；

采用低真空模式或環(huán)境掃描電鏡（ESEM）：減少電荷積聚；

冷臺觀察：抑制熱效應，尤其對生物和聚合物樣品有幫助。