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原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)用案例

日期:2017-12-20

       CdS和ZnO都具有良好的光電性能,被認(rèn)為在光電探測(cè)器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。但是,CdS一維材料存在低量子效率和低響應(yīng)速度等問題,ZnO納米材料也存在低響應(yīng)速度和較差的光電流穩(wěn)定性等問題。本文報(bào)道了一種有趣的樹枝狀CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)納米材料,該材料相對(duì)于普通的CdS納米帶進(jìn)一步提高了光電響應(yīng)性能。結(jié)合原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量系統(tǒng)(ZepTools Technology Co., Ltd.),研究者們揭示了該材料結(jié)構(gòu)特性與光電響應(yīng)性能之間的聯(lián)系。相關(guān)研究成果發(fā)表在《Nanoscale》上。


圖1:(a)CdS納米帶與CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)的XRD峰對(duì)比。(b)低倍數(shù)SEM下觀測(cè)到的CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)。(c)(d)分別對(duì)應(yīng)SEM和TEM下觀測(cè)到的CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)。

圖1:(a)CdS納米帶與CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)的XRD峰對(duì)比。(b)低倍數(shù)SEM下觀測(cè)到的CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)。(c)(d)分別對(duì)應(yīng)SEM和TEM下觀測(cè)到的CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)。
 

 

圖2:(a)原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)用示意圖。(b)原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量樣品桿頭部實(shí)拍圖。

 

圖2:(a)原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)用示意圖。(b)原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量樣品桿頭部實(shí)拍圖。

 
       實(shí)驗(yàn)樣品被粘在金針上,并安置于原位樣品桿頭部。金針的另一端是一個(gè)可三維操縱的光電探針。光電探針是由一個(gè)鎢金屬掃描探針和一根雙向光纖組成。通過操縱光電探針,可以使探針與樣品緊貼并形成回路,光信號(hào)也可通過光纖照到樣品位置。光纖外接405 nm激光器后,可在TEM中對(duì)樣品施加405 nm光信號(hào),同時(shí)原位測(cè)量光電響應(yīng)性能。
 

圖3:CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)在TEM下的結(jié)構(gòu)表征。
 

圖3:CdS/ZnO樹枝狀異質(zhì)結(jié)在TEM下的結(jié)構(gòu)表征。

 

圖4:(a)(b)分別對(duì)應(yīng)CdS納米帶和CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)安置在原位光學(xué)-光纖樣品桿中的TEM圖像。(c)(d)分別對(duì)應(yīng)CdS納米帶和CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)I-V曲線的開關(guān)特性。(e)(f)分別對(duì)應(yīng)CdS納米帶和CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)對(duì)周期性光信號(hào)的響應(yīng)特性。
 

圖4:(a)(b)分別對(duì)應(yīng)CdS納米帶和CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)安置在原位光學(xué)-光纖樣品桿中的TEM圖像。(c)(d)分別對(duì)應(yīng)CdS納米帶和CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)I-V曲線的開關(guān)特性。(e)(f)分別對(duì)應(yīng)CdS納米帶和CdS/ZnO異質(zhì)結(jié)對(duì)周期性光信號(hào)的響應(yīng)特性。

 

 

以上就是澤攸科技介紹的原位透射電子顯微鏡光學(xué)-光電測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)用案例,文中使用的原位樣品桿價(jià)格請(qǐng)咨詢18817557412(微信同號(hào))

 

原位透射電鏡光電樣品桿

 


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